宣武国产半导体清洗剂作用

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被清洗物上往往有多种物质材料构成，包括金属材料、非金属材料、化学材料。比如SIP，通常上面包括了镀金面，银表面，芯片表面铝层，焊料合金表面，元件表面的化学涂覆层，粉沫冶金器件的非金属材料以及包括阻焊膜、字符等等化学材料，都需要在清洗制程中，不会受到影响或者影响在可允许范围之内。材料兼容性是水基清洗中繁琐同时也是重要的考虑因素，水基清洗剂选型在针对被清洗物上材料兼容性的考量所占的权重比大，涉及面广，测试验证手续复杂。需要有一系统规范的验证方式来针对材料兼容性进行系统的验证和评估。才可能被清洗物件等等材料在清除污垢后，能这些材料原有的功能特性。当然，同时也需考虑运行设备与清洗剂所接触的材料的兼容性，清洗机上的泵，阀，管件，喷头，输送及密封材料都需做水基清洗剂的材料兼容性测试。

清洗剂在在线通过式清洗工艺中的性能稳定性，需要有相应的技术手段来进行监测和管控，以清洗性能的发挥或材料兼容性的稳定。在这些监测数据中，重要的是清洗剂的使用浓度可控范围之内，建议使用在线喷淋通过机的用户装配在线清洗剂浓度监测装置，以监测清洗剂在使用中的浓度变化。因为在线喷淋机的设备特性，在使用运行中，清洗剂的浓度变化比较大，如不能有效的监控清洗剂的浓度，将会产生材料兼容性方面的风险。一般来说，清洗剂在机内运行，随着时间的关系，浓度会升高，常规需要通过添加DI水来清洗剂的浓度稳定。使用在线浓度检测仪，可使用人工添加水和自动添加水的方式进行浓度控制。

清洗剂的消耗和寿命。在线通过式喷淋机用水基清洗剂的消耗有三个组成部分: 气雾损耗、被清洗物和网带的带离损耗、清洗剂到达寿命终点的全液更换。在这三项消耗中，大的组成往往是气雾损耗，气雾损耗很大程度是喷淋机固有的机械特性所决定。人为可改变调整的程度不高，用户需在设备选型的时候关注此项技术指标。清洗剂的寿命，以目前的技术手段，无法监测清洗剂的寿命，通常在产线中，以产线的实际检测干净度的标准，观察检测清洗剂的寿命终点，而后，保留和预留一部分安全余量来进行清洗剂全量更换的依据。

汽车电子

目前，SIP技术已经在汽车电子领域得到了广泛的应用，如发动机控制单元(ECU)、汽车防抱死系统(ABS)、燃油喷射控制系统、安全气囊电子系统、方向盘控制系统、轮胎低气压报警系统等。此外，SIP技术在快速增长的车载办公系统和娱乐系统中也获得了成功的应用。
医疗电子

医疗电子注重产品的可靠性、尺寸、功能和寿命，如何在更小的体积内实现更多的功能和更好的性能是其面临的经典问题。在医疗电子领域，SIP的典型应用产品主要为可植入式电子医疗器件，如心脏起博器、心脏除颤器、输药泵、助听器等。当人体心脏持续快速跳动或电子脉冲紊乱时，医学上称之为心脏纤维性颤动，心脏除颤器可以及时产生高压脉冲对心脏进行电击，从而消除心脏纤维性颤动，使心律恢复正常。Valtronic SA使用折叠理念，将逻辑电路、存储器和无源组件结合到单的SIP中，应用于助听器和心脏起博器。
计算机和网络技术

在计算机/网络技术等应用方面，往往要求将ASIC或微控制器和存储器集成在一起。例如在PC中的图形处理模块内，通常包括图形控制IC和两片SDRAM。现在绝大多数图形处理模块在生产中都采用标准的塑封焊球阵列多芯片组件方式封装。这种方式从封装角度考虑成本低，但对于存储器却不合适。因为SDRAM器件需要地进行动态老化。SIP减少了母板布线层数和复杂性，同时提高了母板的空间利用率，可在有限的空间中集成更多的功能块。
常见的功率半导体器件有金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管芯片(IGBT)及模块等。



电子设备正朝着高频、、高可靠、高功率和低成本的发展方向，相应的功率器件也要求高频、高可靠、低损耗和低成本。
目前主流的功率器件主要是MOSFET和IGBT。

日本ROHM公司在中国举办发布会，发布业界快trr性能的600V超级结MOSFET PrestoMOS系列。罗姆半导体（上海）有限公司设计中心经理水原德健对MOSFET和IGBT做了市场优劣势分析：

MOSFET优点是高频，可以工作到几百KHZ，甚至MHZ、10MHZ都没问题；缺点是不耐高压，在高压大电流场合功耗较大，1500W以上就没有优势了。IGBT优点是导通压降小，耐高压．功率可以达到5000W；弱点是开关频率大40—50KHz，开关损耗大。

MOSFET一般在较低功率应用及较高频应用（即功率）

罗姆的高耐压超级结MOSFET

功率元器件一般是由硅、碳化硅、氮化镓这三种材料做成，碳化硅和氮化镓是相对新的功率器件材料。而本次发布会介绍的产品——超级结MOSFET和PrestoMOS，是硅材料产品。

高压MOS在市场上应用很多，每个厂家对“高压MOS”定义不同，有的说200V以上是高压MOS，但比较普遍的认为是，500-600V以上的是高压MOS。市场上用的多的高压MOS也是600V，大概占到所有高压MOS的三分之二。

600V里又分为三类：600V标准型，大约占整个市场的三分之一左右；600V高速开关型，占三分之一左右；600V高速trr型，大约在市场上占7%。

从应用上，标准型和高速开关型主要是用在电源变压器上，高速trr产品主要应用在逆变上，600V之上有650V和800V的产品，主要在太阳能、电动汽车使用。再往上还有1200V和1500V的产品。

高压MOS从构造上分为两种，平面高压MOS，和纵向纵沟槽型高压MOS，也就是超级结MOSFET。

从2014年到2020年，MOS的整体需求量变化不大，但在需求结构上变化很大，平面MOS市场越来越变小，超级结MOSFET市场越来越大。

为什么会出现这样的变化呢？原因在于，客户在选择产品时有两个考量：性能和价格。性能上超级结MOS更节能；价格上第0代超级结MOS价格大约是平面MOS的接近2倍；第1代大约是1.5倍；现在超级结MOSFET已经进入第2代，将要与平面MOS的价格持平。

未来，超级结MOSFET还会推出第3代、第4代，芯片可以做的越来越小，比平面MOS来说价格有更大的优势，性能也有更大的增强，这就决定了平面MOS的市场会越来越小。

在这里还要提到罗姆的一个特产品，HybridMOS。什么是HybridMOS呢？刚刚已经介绍了IGBT和MOSFET的区别，IGBT是在大功率情况下节能，MOSFET是在低功率情况下节能。这就出现了一个问题。比如空调在正常运转的时候功率很低，也就1000W左右。但在刚启动时，要瞬间制冷、瞬间制热，会达到4000到6000W，中央空调会达到8000W。

同样一个产品，在低功率的时候也想让它节能，高功率的时候也想让它节能。但又不可能一个产品中同时用IGBT和MOSFET，如果用MOSFET在低功率时是节能的，但是在瞬间开始进行加热、制冷的时候又不是很节能。IGBT瞬间制冷，加热是很节能，但是正常运转的时候又很浪费能量，这是一个很烦恼的事情。

这个情况下，罗姆开发了HybridMOS。在低功率的时候我们采用了MOSFET的构造，在大功率的时候采用IGBT的优点。不管是瞬间制冷，瞬间制热，还是正常运转的时候，都使能量消耗更低。

由于同时拥有MOSFET构造，又拥有IGBT的特性，所以罗姆为该产品起名HybroidMOS，混合动力的意思。