朝阳销售半导体清洗剂规格

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清洗干净度的评价和评估。往往采取两个方式。一，裸眼经40~100倍的显微放大观察清洗物表面残余物的状况，以见不到残余物为评判依据。二，使用表面离子污染度检测方式对被清洗物表面进行检测，以检测的数据比照技术指标要求评价。在实际生产应用中，特别关注低托高，micro gap。

系统级封装（system in package，SIP）是一种新型的封装技术，在IC封装领域，SIP是的封装。在ITRS2005中对SIP的定义是：“SIP是采用任何组合，将多个具有不同功能的有源电子器件与可选择的无源元件，以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件，组装成为可以提供多种功能的单个标准封装件，形成一个系统或者子系统”。对于SIP而言，在单一的模块内需要集成不同的有源芯片和无源元件、非硅器件、MEMS元件甚至光电芯片等，更长远的目标则考虑在其中集成生物芯片等。目前在无线通讯领域内特别是在3G领域内，SIP是非常有潜力的技术。

SIP的应用



SIP是IC封装领域的的一种新型封装技术，目前已经被广泛应用在手机、蓝牙、Wi-Fi和交换机等无线通讯领域，在汽车电子、医疗电子、消费类电子、军事电子等领域内都有一定的市场。虽然当前其份额还不是很大，但已经成为一种人们关注和发展迅速的封装技术。


（1）无线通讯领域

SIP的应用领域比较广泛，在无线通讯应用与研究方面为。特别是在射频范围内SIP技术是一种理想的系统解决方案。其中，早商业化的SIP模块电路是手机中的功率放大器，这类模块中可集成多频功放、功率控制及收发转换开关等功能。

系统级封装SiP技术


SiP是半导体封装领域的的一种新型封装技术，将一个或多个IC芯片及被动元件整合在一个封装中，综合了现有的芯核资源和半导体生产工艺的优势。SiP是为整机系统小型化的需要，提高半导体功能和密度而发展起来的。SiP使用成熟的组装和互连技术，把各种集成电路如CMOS电路、GaAs电路、SiGe电路或者光电子器件、MEMS器件以及各类无源元件如电阻、电容、电感等集成到一个封装体内。


自从1960年代以来，集成电路的封装形式经历了从双列直插、四周扁平封装、焊球阵列封装和圆片级封装、芯片尺寸封装等阶段。而小型化、轻量化、、多功能、高可靠性和低成本的电子产品的总体发展趋势使得单一芯片上的晶体管数目不再是面临的主要挑战，而是要发展更的封装及时来满足产品轻、薄、短、小以及与系统整合的需求，这也使得在立的系统（芯片或者模块）内充分实现芯片的功能成为需要克服的障碍。这样的背景是SiP逐渐成为近年来集成电路研发机构和半导体厂商的研究对象。SiP作为一种全新的集成方法和封装技术，具有一系列特的技术优势，满足了当今电子产品更轻、更小和更薄的发展需求，在微电子领域具有广阔的应用市场和发展前景。

在2DSiP结构中，芯片并排水平贴装在基板上的，贴装不受芯片尺寸大小的限制,工艺相对简单和成熟，但其封装面积相应地比较大，封装效率比较低。3DSiP可实现较高的封装效率，能大限度地发挥SiP的技术优势，是实现系统集成的为有效的技术途径，实际上涉及多种的封装技术，包括封装堆叠（PoP）、芯片堆叠（CoC）、硅通孔（TSV）、埋入式基板（Embedded Substrate）等，也涉及引线键合、倒装芯片、微凸点等其他封装工艺。3DSiP的基本概念正是将可能实现的多种功能集成于一个系统中，包括微处理器、存储器、模拟电路、电源转化模块、光电器件等，还可能将散热通道等部件也集成在封装中，大程度的体现SiP的技术优势。


系统级封装技术可以解决目前我们遇到的很多问题，其优势也是越来越明显，如产品设计的小型化、功能丰富化、产品可靠性等，产品制造也越来越，尤为重要的是，提高了生产效率，并大幅降低了生产成本。当然，难点也是存在的，系统级封装的实现，需要各节点所有技术，而不是某一技术所能实现的，这对封装企业来说，就需要有足够的封装技术积累及可靠的封装平台支撑，如高密度模组技术、晶圆级封装技术等。
功率半导体：电子装置电能转换与电路控制的核心
功率半导体是电子装置电能转换与电路控制的核心。功率半导体是一 种广泛用于电力电子装置和电能转换和控制电路的半导体元件，可通过半 导体的单向导电性实现电源开关和电力转换的功能。
功率半导体具有能够支持高电压、大电流的特性，主要用途包括变 频、整流、变压、功率放大、功率控制等。除保障电路正常运行外，因其 能够减少电能浪费，功率半导体还能起到节能、省电的作用。
功率半导体=功率器件+功率 IC
功率半导体按器件集成度可以分为功率分立器件和功率 IC 两大类。功率分立器件包括二极管、晶体管和晶闸管三大类，其中晶体管市场 规模大，常见的晶体管主要包括 IGBT、MOSFET、BJT（双极结型晶体 管）。
功率 IC 是指将高压功率器件与其控制电路、外围接口电路及保护电 路等集成在同一芯片的集成电路，是系统信号处理部分和执行部分的桥 梁。
IGBT：电力电子行业的“CPU”
兼具 MOSFET 及 BJT 两类器件优势，IGBT 被称为电力电子行业的 “CPU”。IGBT 全称绝缘栅双极晶体管，是由 BJT(双极型三极管)和 MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
IGBT 具有电导调制能力，相对于 MOSFET 和双极晶体管具有较强的 正向电流传导密度和低通态压降，因此兼具有 MOSFET 的高输入阻抗 MOSFET 器件驱动功率小、开关速度快、BJT 器件饱和压降低、电流密度 高和 GTR 的低导通压降的优点。
IGBT发展史：历经七代技术演进，产品性能逐代提升


历时超 30 年，IGBT 已经发展至第七代，各方面性能不断优化。目前 为止，IGBT 芯片经历了七代升级：衬底从 PT 穿通，NPT 非穿通到 FS 场 截止，栅极从平面到 Trench 沟槽，后到第七代的精细 Trench 沟槽。


随着技术的升级，芯片面积、工艺线宽、通态功耗、关断时间、开关 功耗均不断减小，断态电压由代的600V升至第七代7000V。