产品别名 |
半导体清洗剂,芯片清洗剂,功率器件清洗剂,功率模块清洗剂 |
面向地区 |
全国 |
保质期 |
一年 |
类别 |
中性清洗液 |
器件和组件，比如POP、SIP、IG BT、PCBA，清洗主要是为了去除在焊接中所产生的焊剂或焊膏的残余物、污垢。要针对焊接所用的焊膏和锡膏的可清洗性进行水基清洗剂的选型和匹配，在常规工艺条件或者特定工艺条件下面进行测试，水基清洗剂能够将焊剂和焊膏残余物能够清除而达到干净度的要求。
比如说在器件底部，包括Chip件、QFN底部，芯片或者是倒装芯片底部残留物的去除状况。往往当这些底部的残余物能够有效去除，那么其他部位的残余物也应可以评判为完全去除。QFM和芯片底部采用机械方式打开，观测底部残留物的状况来评判干净度，为了达到Micro gap的托高底部的残留物清除，清洗剂物理化学特性（比方说表面张力）和清洗设备喷淋的角度、压力、方向以及喷淋的时间温度都对底部清除污垢有很大的影响度。
往往用户会把清洗剂的浓度和寿命混为一谈，这两项技术指标分属不同的技术内容。寿命影响因素有清洗剂的选型、污垢的成分和在被清洗物上污垢的含量、设置的清洗温度和设备的损耗状况等等因素有关，所以说无法用一个简单固定的方式来评判清洗剂的寿命，需要在生产实际中累计数据，从而界定清洗剂的寿命。
清洗剂和漂洗水的泡沫。因为清洗剂和漂洗水在喷淋机中处在高温高压下运行，非常容易产生泡沫，泡沫过多影响机器的正常运行和状态观察。
所以，清洗剂的泡沫允许在一定范围而清洗机喷淋压力稳定，如果泡沫过多或者难以消除，清洗剂中含着的气泡和空气，会降低清洗喷淋压力，影响清洗效果。漂洗水的泡沫也值得关注，同样的道理，只要泡沫能够有效的排除，不影响清洗剂的工作状态和设备运行的观测。
系统级封装（system in package，SIP）是一种新型的封装技术，在IC封装领域，SIP是的封装。在ITRS2005中对SIP的定义是：“SIP是采用任何组合，将多个具有不同功能的有源电子器件与可选择的无源元件，以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件，组装成为可以提供多种功能的单个标准封装件，形成一个系统或者子系统”。对于SIP而言，在单一的模块内需要集成不同的有源芯片和无源元件、非硅器件、MEMS元件甚至光电芯片等，更长远的目标则考虑在其中集成生物芯片等。目前在无线通讯领域内特别是在3G领域内，SIP是非常有潜力的技术。
功率半导体：电子装置电能转换与电路控制的核心
功率半导体是电子装置电能转换与电路控制的核心。功率半导体是一 种广泛用于电力电子装置和电能转换和控制电路的半导体元件，可通过半 导体的单向导电性实现电源开关和电力转换的功能。
功率半导体具有能够支持高电压、大电流的特性，主要用途包括变 频、整流、变压、功率放大、功率控制等。除保障电路正常运行外，因其 能够减少电能浪费，功率半导体还能起到节能、省电的作用。
功率半导体=功率器件+功率 IC
功率半导体按器件集成度可以分为功率分立器件和功率 IC 两大类。功率分立器件包括二极管、晶体管和晶闸管三大类，其中晶体管市场 规模大，常见的晶体管主要包括 IGBT、MOSFET、BJT（双极结型晶体 管）。
功率 IC 是指将高压功率器件与其控制电路、外围接口电路及保护电 路等集成在同一芯片的集成电路，是系统信号处理部分和执行部分的桥 梁。
IGBT：电力电子行业的“CPU”
兼具 MOSFET 及 BJT 两类器件优势，IGBT 被称为电力电子行业的 “CPU”。IGBT 全称绝缘栅双极晶体管，是由 BJT(双极型三极管)和 MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
IGBT 具有电导调制能力，相对于 MOSFET 和双极晶体管具有较强的 正向电流传导密度和低通态压降，因此兼具有 MOSFET 的高输入阻抗 MOSFET 器件驱动功率小、开关速度快、BJT 器件饱和压降低、电流密度 高和 GTR 的低导通压降的优点。
IGBT发展史：历经七代技术演进，产品性能逐代提升
历时超 30 年，IGBT 已经发展至第七代，各方面性能不断优化。目前 为止，IGBT 芯片经历了七代升级：衬底从 PT 穿通，NPT 非穿通到 FS 场 截止，栅极从平面到 Trench 沟槽，后到第七代的精细 Trench 沟槽。
随着技术的升级，芯片面积、工艺线宽、通态功耗、关断时间、开关 功耗均不断减小，断态电压由代的600V升至第七代7000V。
